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SiBar?
PRODUCT: TVB200SA-L
308 Constitution Drive
Menlo Park, CA 94025-1164
Phone: 800-227-4856
www.circuitprotection.com
Thyristor Surge Protectors
Raychem Circuit Protection Products
DOCUMENT: SCD 25898
PCN: E84709
REV LETTER: B
REV DATE: APRIL 28, 2007
PAGE NO.: 2 OF 2
DEVICE RATINGS @ 25o C (Both Polarities)
Parameter
Repetitive off-State Voltage, Maximum at ID = 5 μA
Non-Repetitive Peak Telcordia GR-1089 CORE 10x1000 μs
Impulse Current TIA-968 lightning Type A Metallic 10/560 μs
Double exponential TIA-968 lightning Type A Longit. 10/160 μs
Symbol
VDM
IPP 1
IPP 2
IPP 3
Value
200
50
70
100
Units
V
A
A
A
Waveform
Telcordia GR-1089 Intrabuilding 2/10 μs
IPP 4
150
A
(Notes 1 and 2) IEC61000-4-5 (Voc 1.2/50us) 8/20 μs
ITU-T K.20/K.21 (Voc 10/700us) 5/310 μs
TIA-968 lightning Type B (Voc 9/720us) 5/320 μs
IPP 5
IPP 6
IPP 7
150
90
90
A
A
A
Critical Rate of Rise of On-State Current
Powered Pulse Amplifier, C=30μF, V=600V
Maximum 2x10 μsec waveform, V OC =750V, I SC =150A peak
di/dt
di/dt
500
110
A/μs
A/μs
DEVICE THERMAL RATINGS
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
TSTG
TA
-55 to 150
-40 to 125
oC
oC
Blocking or conducting state
Overload Junction Temperature
TJ
+150
oC
Maximum; Conducting state only
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose; for 10 seconds
TL
+260
oC
E LECTRICAL CHARACTERISTICS Both polarities (T J @ 25o C unless otherwise noted)
Characteristics Symbol Min
Typ
Max
Units
Breakover Voltage (+25oC)
VBO
----
260
320
V
(dv/dt = 0.4kV/μsec, I SC =900mA, V DC = 500V(both polarities))
Breakover Voltage Temperature Coefficient
dVBO/dTJ
----
0.1
-----
%/oC
Off-State Current
On-State Voltage
(VD1=50V)
(VD2=VDM)
(IT=1A)
ID1
ID2=IDM
VT
----
----
----
-----
-----
-----
2.0
5.0
4.0
μA
μA
V
(PW ≤ 300 μsec, Duty Cycle ≤ 2% (Note 2))
Breakover Current
Holding Current (Note 2)
Peak Onstage Surge Current
IBO
IH
ITSM
----
150
22
----
----
----
800
----
----
mA
mA
A
(Measured @ 60Hz, 1 cycle, 600V)
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
dv/dt
2000
----
----
V/μs
(Linear waveform, V D = 0.8 X Rated V BO, T J = +25oC)
Capacitance (f=1.0 Mhz, 50V DC bias, 1Vrms)
(f=1.0 Mhz, 2V DC bias, 1Vrms)
C1
C2
----
----
18
35
----
pF
pF
Note 1. Allow cooling before test second polarity
Note 2. Measured under pulse conditions to reduce heating
VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTIC
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